^{各位大神，新手上路，在做32AWG USB3.1 Type-C时，高频参数测试IMR(综合反射)与IRL(积分回损)不良，从线材上该如何改善，请各位大神指点一二，谢谢！}

要看每一对的数据吧，IMR 和IRL是多对数据综合计算的，估计有不稳定吧。

IMR 都NG 衰减应该很差，衰减弄直IMR就OK了，IRL也会好一些

这个原因比较多，有可能导体，也有可能是发泡度，也有可能是对绞，所以你得从工艺查找。

可能是发泡度

信号对的衰减要做成一条直线，不能有尖峰

衰减主要分为两种，导体衰减跟介质衰减，低频一般跟导体有关，高频主要是介质，发泡度是影响衰减的主要指标，发泡介质也有影响，高密度PE高频衰减较好，可以适当提升高密度占比，其次不能忽略的是产品结构，如果外径、导体尺寸有变化会直接影响阻抗，间接影响衰减。测试温度也是影响衰减的主要指标，很多线缆未完全冷却前衰减是偏高的，跟环境温度不符，可以先放置一夜，或者提高一下测试温度。衰减跟回波不是一码事，虽然回波对衰减会造成一定影响，但多数时候可以忽略。回波峰值很有意思，记住计算的缺陷长度是准的，但是造成这个缺陷的原因不是那么容易分析的，不要被公式困住，实际问题实际分析。

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